一、氣相沉積爐（立式）簡介：
熱誘導化學氣相沉積（英語:chemical vapor deposition,CVD）是用于各種電介質(zhì)，半導體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式，無論是單晶，多晶，無定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳，碳化硅，氮化硼。通過使用合成前體，涂層非常純凈并目滿足半導體工業(yè)的典型要求，根據(jù)工藝參數(shù)，可以有多種層厚度，從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護層或功能層，以及厚度達100微米的單片部件，甚至高達數(shù)毫米。

熱誘導的化學氣相滲透（英語:chemical vaporinfiltration,CVI）是一個與CVD有關(guān)的技術(shù)，以在基體材料滲入多孔或纖維預(yù)成型件以制備由復合材料制成的部件具有改善的機械性能，耐腐蝕性，耐熱沖擊性和低殘余應(yīng)力。

二、技術(shù)特點：
1.采用立式、底/頂開門結(jié)構(gòu)：裝、卸料精度高，操作方便；
2.采用先進的控制技術(shù)，能精密控制MTS的流量和壓力，爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定，壓力波動范圍小；
3.溫度均勻性好：平均溫度均勻性為±5℃；
4.采用多通道沉積氣路，流場均勻，無沉積死角，沉積效果好；
5.全封閉沉積室，密封效果好，抗污染能力強；
6.安全性能好：采用HMI+PLC+PID程序控溫制，安全可靠；
7.對沉積產(chǎn)生的高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產(chǎn)物能進行有效處理；
8.多級高效尾氣處理系統(tǒng)，環(huán)境友好，能高效收集焦油及副產(chǎn)物，易清理；
9.采用設(shè)計防腐蝕真空機組，持續(xù)工作時間長，維修率極低。

三、設(shè)備規(guī)格：

四、氣相沉積爐（立式）展示圖：